[특징주] 에이엘티, 열충격 없는 웨이퍼 후공정 특허 출원에 부각

비메모리 반도체 후공정전문기업(OSAT) 에이엘티의 주가가 상승세다.
21일 오전 10시22분 기준 에이엘티는 전 거래일 대비 600원(2.96%) 오른 2만900원에 거래되고 있다.

에이엘티는 이날 "'열충격이 없는 SiC(실리콘카바이드) 웨이퍼 후공정 절삭(Dicing) 장치 및 공법'에 대한 특허를 출원했다"고 밝혔다.


에이엘티에 따르면 이번 기술은 웨이퍼 절단 시 웨이퍼에 가해지는 열적 손상과 웨이퍼의 표면에 오염물질이 안착하는 것을 최소로 한다. 이를 통해 절단 유효영역·스크라이브 레인(Scribe Lane·웨이퍼 절단부)의 폭을 최소화해 수율을 극대화할 수 있다.

에이엘티는 이미 Si(실리콘) 반도체에 적용되는 림컷(Rim-Cut) 기술을 상용화했다. 이를 기반으로 차세대 전력반도체인 SiC에 응용할 수 있는 첨단 기술을 상용화하기 위해 이번 특허를 출원했다. 선제적 기술개발로 고객 니즈를 극대화하겠다는 계획이다.

에이엘티 관계자는 "고온·고전압 환경에서 유리하고 전력 효율이 높은 SiC 반도체는 전기차·신재생 발전설비 등 성장산업 분야에서 주로 사용되고 있다"며 "산업 발전과 함께 수요가 급격히 증가할 것으로 예상된다"고 말했다.


한편 지난 7월27일 코스닥에 상장한 에이엘티는 2차전지·인공지능(AI)·자동차 전장 등 최근 유망업종으로 등극한 산업에 적용되는 고성능 비메모리 반도체를 테스트하는 기업이다. 웨이퍼 테스트와 후공정 가공, 패키징 등 외주반도체패키지테스트(OSAT) 사업을 영위하고 있다.