삼성전자, 업계 첫 HBM5 실물 모형 공개…차세대 시장 주도권 굳히기

삼성전자가 업계 최초로 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형을 공개했다. 지난달 HBM4E 샘플 양산 출하에 이어 차세대 제품까지 빠르게 내놓으며 메모리 강자로서의 입지를 공고히 하고 있다는 평가다.
2일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 대만 타이베이에서 열리는 '컴퓨텍스 2026'에서 HBM5 실물 모형을 선보였다. 제품 핵심은 '열 경로 블록'(HPB) 기술로 AI 메모리 고성능화 과정에서 발생하는 발열 문제를 해결할 것으로 기대된다. 이미 HBM4E 제품을 통해 기술 구조 설계와 신뢰성, 패키지 안정성 검증을 마친 만큼 HBM5에서는 제품의 안성도를 높이는 데 기여할 거란 관측이다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 행사에서 "삼성전자의 HBM5는 별도의 열 전달 경로를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높인 것이 강점"이라며 "향후 고대역폭·고집적 AI 환경에서 시스템 전반의 효율 향상에 중요한 역할을 할 것으로 보인다"고 설명했다.


자체 파운드리 2나노 공정으로 제작한 베이스 다이도 선제 적용한다. 메모리·파운드리·로직·패키징을 아우르는 토탈 설루션을 바탕으로 더 차별화된 성능을 제공하겠다는 계획이다. 송 사장은 "메모리와 파운드리를 동시에 최적화할 수 있다는 게 삼성의 강점"이라고 말했다.

한편 현장에는 지난달 29일 샘플 출하가 본격화된 HBM4E 제품도 함께 전시됐다. HBM4E는 핀당 동작 속도를 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하는 제품으로, 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용해 초미세 공정의 안정성과 수율, 양산성을 동시 확보했다.