삼성전자, GTC서 HBM4E 최초 공개… 엔비디아와 AI 동맹 강화
1c D램·파운드리 4나노 기반 HBM4E 칩 및 코어 다이 웨이퍼 최초 공개
정연 기자
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삼성전자가 3월 16일부터 19일까지(현지시각) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초 공개했다고 17일 밝혔다. 차세대 HBM4E 기술력과 베라 루빈 플랫폼을 구현할 수 있는 메모리 토털 설루션 역량도 함께 강조했다.
삼성전자는 이번 전시에서 'HBM4 Hero Wall'을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 동선을 구성했다. 현재 회사는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정과 삼성 파운드리 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있다.
삼성전자 HBM4E는 메모리·자체 파운드리·로직 설계 역량·첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.
영상을 통해 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개했다. 이와 함께 차세대 HBM을 위한 패키징 기술 경쟁력도 선보였다. TCB는 열과 압력을 이용해 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술로 HBM 적층 구조 구현에 사용되는 대표적인 본딩 방식이다. HCB는 구리 접합으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로 고적층 HBM 구현에 유리하다.
메모리 토털 설루션 역량도 부각했다. 삼성전자는 전 세계에서 유일하게 엔비디아 베라 루빈 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있다. 삼성전자는 '엔비디아 갤러리'를 별도 구성해 ▲루빈 GPU용 HBM4 ▲베라 CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시하며 양사 협력을 강조했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다. PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지다. 회사는 부스 내에서 PM1763이 탑재된 서버를 통해 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 시연했다. 추론 성능과 전력 효율 개선을 위해 베라 루빈 플랫폼에 새롭게 도입된 CMX 플랫폼에 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753을 공급할 계획이다.
한편 행사 둘째 날인 17일(현지시각)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나선다. AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 설루션 비전을 제시할 예정이다. 양사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 계획이다.
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정연 기자
안녕하세요, 산업1부 정연 기자입니다.