이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리속도를 구현할 수 있다. 이로써 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.
특히 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며 전력소비는 40%가량 낮춘 것이 특징이다. 고사양 그래픽시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.
SK하이닉스는 이번 초고속 메모리 제품에 실리콘관통전극 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했다. 기술적 검증을 위해 그래픽분야 선두업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다.
이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달할 계획이다. 초고속 메모리를 시스템온칩(SoC)과 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템인패키지(SiP) 형태로 공급할 예정이다.
홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장 전무는 “실리콘관통전극 기술을 활용한 초고속 메모리 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리시장에서 주도권을 지속 확보하겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 이번에 개발을 완료한 HBM을 내년 하반기부터 본격 양산할 계획이다.
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