15일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 'CXL 2.0 D램'을 개발하고 연내 양산할 계획이라고 밝혔다. 이번 제품은 PCIe 5.0(x 8레인)을 지원하며 최대 35GB/s의 대역폭을 제공한다. PCIe은 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격이다.
삼성전자는 지난해 5월 세계 최초로 CXL 1.1 기반 CXL D램 개발에 이어 1년 만에 CXL 2.0을 지원하는 128GB D램을 개발에 성공했다. 차세대 컴퓨팅 시장 수요에 따라 다양한 용량의 제품도 적기에 선보여 CXL 생태계 확장을 가속화할 계획이다.
해당 D램은 메인 D램과 공존하면서 대역폭과 용량을 확장할 수 있어 인공지능, 머신러닝 등 고속의 데이터 처리가 요구되는 차세대 컴퓨팅 시장에서 주목받고 있다.
삼성전자의 'CXL 2.0 D램'은 '메모리 풀링' 기능을 지원한다. '메모리 풀링'은 서버 플랫폼에서 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 여러 호스트가 메모리를 필요한 만큼 나눠 사용할 수 있는 기술이다. CXL 메모리의 전 용량을 유휴 영역 없이 사용할 수 있어 서버 운영비를 절감할 수 있다.
최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 "데이터센터·서버·칩셋 등 글로벌 기업들과의 협력으로 CXL 생태계를 더욱 확장해 나갈 것"이라고 말했다.
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