이 제품은 TSV 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두배에 이르는 최대용량을 달성했다. 속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했다. 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.
SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공하며 서버용 D램 시장에서 기술리더십을 이어 나가게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 본격 양산할 계획이다.
홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장 전무는 “128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품을 지속 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 말했다.
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