이번에 제우스에서 새로 개발한 매엽 고온황산장비는 잔류 감광물질 박리공정(PR STRIP)에 주로 사용하는 장비다. 웨이퍼(wafer) 경면을 반전하여 공정 처리하는 방식을 적용하여 기존 타사 장비에서 발생하던 흄(FUME)에 의한 부식 및 역오염등의 불합리 예방과 제어가 가능하다.
기존 황산과산화수소혼합액 세정(SPM) 장비는 약품간의 화학적 반응작용을 통해 약액의 온도를 120~150도 사이로 올리는 방식을 사용해왔으나, 약품사용량이 많고 최근 환경적 측면이 강조되고 있는 상황에서 사용된 약품의 처리 문제 등 단점이 존재했다.
반면, 이번에 제우스에서 개발한 매엽 고온황산장비(HTS)는 원적외선 세라믹 히터(IR Heater)를 사용해 웨이퍼(wafer) 온도를 200도 이상 순간 가열하는 방식을 적용한 장비로, 케미칼 소모량을 30% 이하로 감소시켜 환경적 측면에서 유리하고 공정시간 또한 단축 시킬 수 있는 장점을 가지고 있다.
회사 관계자는 “해당 장비는 향후 메모리 공정뿐만 아니라 시스템 반도체(SYSTEM LSI) 공정으로 확대가 가능한 것이 특징으로, 장비 수주확대가 가능하다는 점에서 그 가치가 더욱 높다” 며 “일본 자회사인 J.E.T와의 협력으로 영업 시너지 효과 또한 극대화 될 것으로 예상하고 있다”고 밝혔다.
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