13일 업계에 따르면 TSMC는 1.4나노미터(㎚) 공정 반도체 개발에 나선다. 1㎚는 10억분의 1m로 현재는 4㎚ 공정까지 상용화됐다. TSMC는 기존 3㎚ 공정 연구개발팀을 1.4㎚ 공정 연구개발팀으로 전환하고 다음달부터 정식 운영할 계획이다. 1.4㎚ 반도체가 시장에 등장하는 시기는 오는 2027~2028년으로 전망된다.
TSMC의 기술력은 세계 1위로 꼽힌다. 특히 파운드리 수율(전체 생산품 중 양품 비율)이 삼성전자보다 뛰어나다는 평가를 받는다. 이 이유로 삼성전자의 대형 고객사들이 TSMC로 이탈하는 것 아니냐는 우려가 나오기도 했다.
TSMC는 1위 자리를 유지하기 위해 설비 투자에도 공격적으로 나서고 있다. 올해 설비 투자에만 최대 440억달러(약 56조원)를 쏟아부을 계획이다. 전년(300억달러·38조원)보다 47% 늘어난 수치다. 삼성전자는 오는 2030년까지 시스템반도체 사업에 총 171조원을 투자할 계획인데 이를 파운드리 설비투자에 모두 사용해도 연간 20조원이 되지 않는다.
시장에서는 이 같은 이유로 TSMC와 삼성전자의 시장 점유율 차이가 벌어질 것으로 내다본다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 전 세계 파운드리 시장에서 TSMC의 점유율(매출)은 56%, 삼성전자는 16%로 예상된다. 지난해와 비교했을 때 TSMC는 3%포인트 증가, 삼성전자는 2%포인트 감소한 수치다.
세계 중앙처리장치(CPU) 시장 1위 기업인 인텔의 추격도 매섭다. 인텔은 파운드리 사업 재진출을 선언하며 미국 내 200억달러(약 26조원) 규모의 반도체 공장을 건립할 예정이다. 이와 함께 유럽 전역에 향후 10년 동안 800억유로(약 108조원) 규모의 반도체 시설도 짓는다.
파운드리 연구개발(R&D)에는 지난해 역대 최대 규모인 152억달러(약 19조원)를 쏟아부었다. 전년 대비 12% 정도 늘어난 금액으로 삼성전자가 지난해 파운드리 R&D에 투자한 금액(65억달러·약 8조원)의 2배가 넘는다.
━
삼성전자, M&A 겨냥 인사… 본격 투자 시작하나━
삼성전자 인사도 M&A에 초점이 맞춰졌다. 삼성전자는 최근 뱅크오브아메리카(BoA) 출신 반도체 업계 M&A 전문가인 마코 치사리를 영입해 미국 반도체혁신센터장으로 임명했다. 그는 BoA 산하 메릴린치에서 인피니언의 사이프러스 인수, AMS의 오스람 인수 등을 성사시켰고 미국 파운드리 기업 글로벌파운드리에서는 M&A 책임자로 일한 것으로 알려졌다.
회사 내부적으로는 미국 전장기업 하만 인수를 주도했던 안중현 부사장이 사장으로 승진했다. 이번 인사는 안 사장만을 대상으로 한 '원포인트 인사'로 이례적이라는 목소리가 나왔다. 그는 승진과 함께 삼성글로벌리서치(옛 삼성경제연구소) 미래산업연구본부장을 맡게 됐는데 후선에서 M&A를 지원할 것으로 예상된다.
삼성전자의 M&A 계획이 이뤄지기 위해서는 이재용 부회장의 사면이 필요하다는 시각도 있다. 이 부회장은 지난해 1월 파기환송심에서 징역 2년6개월을 선고받은 후 같은 해 8월 가석방됐다. 그는 가석방 후에도 취업 제한을 적용받아 해외 출장에 어려움을 겪고 있다.
<저작권자 © ‘존중받는 개인, 부강한 대한민국’ 시대, 무단전재 및 재배포 금지>