삼성전자가 지난 7월 선보인 256Gb 5세대 V낸드. /사진=삼성전자
삼성전자가 플래시메모리개발실 20주년을 맞아 역대 개발실장을 초청해 역사적 순간을 기념했다.

24일 IT업계에 따르면 삼성전자는 홈커밍데이를 열고 전영현 삼성SDI 사장, 정칠희 전 삼성 종합기술원 사장, 신윤승 전 부사장, 강덕 전 부사장 등 역대 메모리 개발주역들을 초청했다.


삼성전자와 주요 인사들은 낸드플래시 100단 이상으로 기술혁신을 이룬 것을 강조하며 200단 적층기술을 위해 힘써야 한다고 입을 모았다. 1998년 10월 삼성전자는 세계 최초 128MB 플래시메모리 양산에 성공한 후 현재 120단 낸드플래시 6세대 V낸드 양산을 준비하고 있다.

디지털카메라용 플래시를 개발했던 삼성전자는 3차원 V낸드 개발을 기점으로 황금기를 누리고 있다. 스마트폰 용량이 커지고 하드디스크가 SSD로 교체되면서 3D낸드 플래시 판매량이 급증했다.


삼성전자는 내년부터 적층단수를 100단 이상으로 높인 6세대 제품을 양산해 또 한 번 세계를 놀라게 할 계획이다. 싱글스택의 한계 연장 및 신개념 설계로 3비트 V낸드 플래시 중 최고 성능을 구현하기 때문에 더블스택 방식보다 공정과정이 짧아 원가·수율 측면에서 유리하다.

한편 증권업계는 삼성전자의 3분기 반도체 사업부문의 영업이익이 14조원에 육박할 것으로 예상했다.