SK하이닉스의 초저전력 LPDDR5X . / 사진=SK하이닉스


SK하이닉스는 세계 최초로 모바일용 D램에 'HKMG' 공정을 도입한 LPDDR5X 개발을 완료하고 최근 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.


HKMG 공정은 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스가 이 공정을 적용해 개발한 LPDDR5X는 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDECl)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄였다. 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 보인다.


모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 규격명에 LP라는 표현이 사용된 만큼 낮은 전력 소비가 최대 관건이다. 모바일의 경우 전력이 한정돼 있기 때문에 제품의 사용 시간을 늘리기 위해선 전력소비를 최대한 줄여야 한다.

SK하이닉스의 LPDDR5X는 모바일용 D램 중에서는 최초로 HKMG 공정을 도입해 속도 향상은 물론 소비전력 감소를 모두 확보했다.


SK하이닉스는 "LPDDR5X를 통해 D램의 소비전력이 더욱 낮아지면서 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다"며 "소비전력 감소는 결국 소비자들이 사용하는 전력의 감소로 이어져 SK하이닉스가 추구하고 있는 ESG 중심 경영의 가치와도 일맥상통한다"고 말했다.