“영화 2편을 1초에?”… 삼성전자, 차세대 512GB 메모리 개발

삼성전자는 업계 최초로 '하이케이 메탈 게이트(HKMG)' 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB(기가바이트) DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 25일 밝혔다.

DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 2배 이상 성능이다. 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps(초당 메가비트)까지 확장될 전망이다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈이 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현함으로써 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능(AI) 등에 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대했다. 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.

이번에 개발된 DDR5 메모리는 고성능과 저전력을 동시에 구현한 게 특징이다. 반도체 공정 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용했다. HKMG 적용으로 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소했다. 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술도 16Gb(기가비트) 기반으로 적용됐다.


손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 "삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다"며 "이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다"고 밝혔다.

캐롤린 듀란(Carolyn Duran) 인텔 메모리&IO테크놀로지 총괄 부사장(VP)은 "처리해야 할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다"며 "인텔은 인텔 제온 스케일러블 프로세서인 사파이어 래피즈와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다"고 밝혔다.