/사진=SK하이닉스
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SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리속도를 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품이다. 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(3.7GB 기준) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준 16Gb칩 8개를 TSV기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.


이번 HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝, 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십 마이크로미터(um) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능하다.

전준현 SK하이닉스 HBM사업전략 담당은 “2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 후 지금까지 기술경쟁력을 바탕으로 시장을 선도했다”며 “HBM2E 시장이 열리는 내년부터 본격적으로 양산해 프리미엄 메모리시장에서의 리더십을 꾸준히 강화할 것”이라고 말했다.