삼성전자가 GAA(Gate All Around) 기술 기반 3나노 반도체 공정을 내년 상반기부터 양산한다. 최시영 삼성전자 사장이 삼성 파운드리 포럼 2021에서 기조연설을 하는 모습. /사진제공=삼성전자
삼성전자가 GAA(Gate All Around) 기술 기반 3나노 반도체 공정을 내년 상반기부터 양산한다. 트랜지스터의 성능 및 효율을 높이는 차세대 공정 기술 GAA를 선점해 기업 간 점유율 격차를 좁히겠다는 의지로 풀이된다. 

삼성전자는 미국 현지시각으로 6일 '또 하나의 차원을 더하다'(Adding One More Dimension)을 주제로 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 열고 GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획을 발표했다.

삼성전자는 2022년 상반기 3나노 공정을 통해 GAA 기술을 세계 최초로 선보이고, 2025년 GAA 기술 기반 2나노 공정을 양산한다는 계획이다. 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되고 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상된다. 

파운드리(반도체 위탁생산) 1위 기업인 TSMC가 내년 7월 양산에 들어갈 것으로 관측되는 가운데 삼성전자의 3나노 공정 양산 시점은 TSMC와 비슷하거나 더 빠를 것으로 보인다. 2나노 공정 양산 일정은 1년 뒤쳐지지만 TSMC가 2나노 공정부터 GAA 기술을 도입한다는 것을 감안하면 삼성전자가 충분히 기술 선점이 가능하다는 분석이다. 

삼성전자는 이날 핀펫 기반 17나노 신공정 개발 소식도 알렸다. 17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력 효율은 49% 향상될 것으로 기대된다. 반도체 면적은 43% 줄어들 것으로 보인다. 이에 28나노 공정을 주로 활용하던 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등에 17나노 신공정을 적용할 수 있을 전망이다. 

삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고 GAA 등 첨단 미세공정 뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어나가겠다"며 "신종 코로나바이러스 감염증(코로나19)로 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것"이라고 말했다.