[주총] 삼성전자 "반도체 불확실성, 신성장 수요로 돌파"

삼성전자가 18일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 주주, 기관투자자, 김기남 삼성전자 대표(부회장) 등 관계자들이 참석한 가운데 ‘제51기 정기 주주총회’를 개최했다.
이날 의안 상정에 앞서 김기남 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장), 김현석 CE 부문장(사장), 고동진 IM 부문장(사장)이 각 사업부문별 경영현황에 대해 설명하고 주주 질문에 답변했다.
메모리 중심 부품시장 점유율 1위 이어가지난해 부품 부문은 매출 95조5000억원, 영업이익 15조6000억원을 달성했다. 글로벌시장에서 D램, 낸드, DDI, OLED 제품은 점유율 1위로 시장을 견인하고 있다.

메모리 사업은 어려웠던 시장 상황에도 불구하고 1위 업체로서 경쟁 우위를 유지하며 견고한 실적을 달성했다고 김 대표는 설명했다. 3세대 10나노급 D램 양산과 6세대 V낸드 개발 등으로 기술 리더십을 강화했다고 덧붙였다.


파운드리는 업계 최초로 극자외선 노광장비인 EUV를 적용한 7나노를 양산했고 1억화소 해상도의 이미지센서와 내장형MRAM(eMRAM) 솔루션을 상용화했다.

시스템LSI는 5G 모뎀 상용화 등 ‘시스템 온 칩’(SoC) 기술 리더십을 확고히 하고 중국시장 진입을 통한 글로벌 확대 기반을 마련했다. 이미지센서는 고해상도 제품을 개발해 시장 트렌드를 주도하며 중국 시장점유율 1위를 유지하고 있다.

디스플레이는 중소형 부문에서는 스마트폰용 프리미엄 홀 디스플레이를 개발하고 OLED 노트PC 시장에 신규 진입했다. 대형 부문에서는 8K TV 풀 라인업을 구축하고 게이밍용 고해상도 모니터를 개발했다.


김 대표는 “올해는 대외 불확실성이 지속될 것으로 예상되지만 AI와 차량용 반도체 산업 성장, 데이터센터 업체들의 투자 증대, 5G 통신망의 본격적인 확산 등 신성장 분야를 중심으로 반도체 수요는 성장할 것”이라며 “메모리 업계는 공정 전환 중심의 투자가 진행돼 전년대비 시장이 안정될 것으로 보인다”고 말했다.
초격차 유지, 글로벌 기술리더십 선도삼성전자는 메모리에서 4세대 10나노급 D램과 7세대 V낸드 개발로 기술 격차 확대에 주력할 계획이다. 고대역폭 메모리(HBM) 등 차별화된 제품 개발을 통해 신성장시장 분야에서 주도권을 확보할 방침이다.

파운드리는 5나노 양산과 4·3나노 적기 개발 등 미세 공정에서 리더십을 지속 강화할 계획이다. 파운드리 에코 시스템 강화, 생산능력 확대와 생산효율 극대화, 고객다변화를 통해 성장기반을 구축해 나갈 예정이다.

시스템LSI는 5G 모뎀 상용화 등 모바일 분야에서 보여준 SoC 기술과 이미지센서의 혁신적인 기술 리더십을 지속 강화할 방침이다. 또한, AI, 전장 등 신성장 사업의 확대를 위해 차세대 기술 기반을 확보할 계획이다.

디스플레이는 중소형 부문에서 차별화 기술과 가격경쟁력을 기반으로 경쟁사와의 격차를 확대하고, 대형 부문에서는 초고해상도·커브드·QD 디스플레이 사업화를 통해 프리미엄 패널시장을 선도할 계획이다.

김 대표는 “올해를 재도약 발판의 원년으로 삼아 원가 경쟁력을 확보하고 초격차 기술을 확대할 것”이라며 “이를 통해 진정한 글로벌 1위를 확고히 할 계획이다”고 말했다.