김기남 삼성전자 대표이사 부회장이 18일 경기도 수원시 영통구 수원컨벤션센터에서 열린 삼성전자 제51기 정기주주총회에서 발언하고 있다.

이날 김 부회장은 "올해 메모리 업계에 대해 공정 전환 중심의 투자가 진행, 전년대비 시장이 안정될 것으로 전망하고 기술 초격차에 집중하겠다"며 "삼성전자는 메모리에서 4세대 10나노급 D램과 7세대 V낸드 개발로 기술 격차 확대에 주력할 계획이다", "고대역폭 메모리(HBM) 등 차별화된 제품 개발을 통해 신성장 시장 분야에서 주도권을 확보할 방침"이라고 전했다.