삼성전자, 신기술로 D램 100만개 양산… 기술 격차 이끈다

삼성전자가 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 도입한 양산체계를 마련했다.

삼성전자는 24일 업계 최초로 D램에 EUV 공정을 적용한 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개를 양산 완료해 공급했다고 밝혔다.


이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램부터 EUV 공정을 적용해 반도체 미세 공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추게 됐다.

EUV 기술을 적용하면 공정이 크게 단축되면서도 정확도가 상승한다. 불량률을 최소화해 수율의 향상을 기대할 수 있고 제품 생산·개발 기간도 줄일 수 있다.


삼성전자는 내년에 성능을 향상시킨 4세대 10나노급 DDR5 램에도 이 기술을 적용해 프리미엄 메모리시장의 리더십을 강화한다는 전략이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객에 차별화된 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT시장이 지속 성장하는데 기여할 것”이라고 말했다.