삼성전자는 세계 최초로 차세대 AI 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. 삼성전자 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 독보적인 스펙을 구현했다. 핀당 동작 속도를 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원하며 해당 수치를 전작 HBM4 대비 20% 이상 대폭 향상시켰다.
단일 스택 기준 초당 3.6TB 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템 연산 속도를 극대화했다. 용량도 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸으며 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단)·64GB(16단)까지 라인업을 확대할 계획이다.
제품의 가장 큰 차별점은 삼성전자가 보유한 메커니즘과의 조화다. 전작 HBM4에서 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했는데 이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하는 동시에 수율과 양산성을 확보했다.
저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 고부하 AI 연산 환경에서의 발열 문제를 해결해 제품의 장기 신뢰성을 보장하고 글로벌 데이터센터 전력 소모 절감에도 유의미한 설루션을 제공하는 셈이다.
이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다. 메모리·파운드리·시스템LSI·첨단 패키징까지 모두 아우르는 세계 유일 '원스톱(One-Stop) 턴키 설루션'을 기반으로 공급 안정성을 확보할 방침이다.
삼성전자는 HBM4도 양산 공급 확대 중이다. 글로벌 고객사들은 삼성 HBM4에 대해 속도와 전력 효율 측면에서 긍정적인 평가를 내놓고 있다. 지난해 12월 삼성전자 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP 테스트에서 11.7Gbps의 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.
HBM4E와 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 양산되고 있다는 점에서 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 관측이 제기된다.
황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.
한편 유례없는 반도체 슈퍼사이클(초호황)이 찾아온 가운데 삼성전자의 기술 혁신은 앞으로도 계속될 전망이다. 특히 6개월간 이어졌던 노사 간 성과급 갈등이 일단락된 만큼 제품 경쟁력 강화와 고객 신뢰 회복에 더 속도를 낼 것으로 예상된다.
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