이어 "높아진 고객 성능 요구에 부합하기 위해 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용해 HBM4E 개발하고 있다"며 "해당 공정은 수율과 양산 능력이 성숙 단계에 도달한 만큼 목표 시점엔 고객사의 요구에 부합하는 성능을 갖춘 제품을 안정적으로 공급할 수 있을 것"이라고 설명했다.
회사는 "글로벌 메모리 반도체 수요에 중장기적으로 안정적이게 대응할 수 있도록 기술 내재화에 집중할 것"이라며 "압도적인 제품 품질을 통해 기술 리더십을 이어나가겠다"고 다짐했다.
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