해당 기술은 발열이 가장 집중되는 D2D PHY 안에 열 제어 소자(ICE)를 넣어 열이 빠져나갈 수 있는 전용 경로를 만들었다. 이를 통해 기존 대비 열저항이 30% 이상 낮아졌고 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작 특성을 유지할 수 있게 됐다고 회사는 설명했다. ICE는 전기는 통하지 않지만 열전도가 높은 실리콘 소재를 활용해 HBM 패키지 내부에 추가적인 열 배출 경로를 형성하는 냉각 요소다.
양산성 측면에서도 강점을 갖췄다. 시장에서 검증된 Advanced MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용해 안정적인 대량 생산이 가능하다. 큰 설계 변경 없이 즉시 적용도 가능해 고객사들의 도입 부담도 낮췄다. MR-MUF는 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정을 말한다. WLP는 웨이퍼를 개별 칩으로 자르지 않은 상태서 패키징 공정과 테스트를 한 번에 진행하는 기술이다.
SK하이닉스는 iHBM 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 순차적으로 적용하며 시스템 전반의 안정성과 운영 효율을 높일 계획이다.
이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)은 "iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 최적의 설루션"이라며 "AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공하며 메모리 리더십을 공고히 하겠다"고 했다.
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